Transistor bipolaire MJE18006G

• Type de transistor: NPN
• Tension collecteur-émetteur maximum: 450 V
• Tension collecteur-base maximum: 1000 V
• Tension émetteur-base maximum: 9 V
• Courant collecteur continu maximum: 6 A
• Dissipation de puissance maximum: 100 W
• Gain de courant (h_fe): 14 à 34
• Fréquence de transition minimum: 14 MHz
• Température de stockage et de fonctionnement: -65 to +150 °C
• Boîtier: TO-220
• Le MJE18006G est la version sans plomb du transistor MJE18006

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.Vous pouvez remplacer le transistor MJE18006G par 2SC3056A, MJE18006, MJE18008, MJE18008G, MJF18006, MJF18006G, MJF18008 ou MJF18008G.