Transistor bipolaire MJE13003B

• Type de transistor: NPN
• Tension collecteur-émetteur maximum: 400 V
• Tension collecteur-base maximum: 700 V
• Tension émetteur-base maximum: 9 V
• Courant collecteur continu maximum: 1 A
• Dissipation de puissance maximum: 1 W
• Gain de courant (h_fe): 10 à 30
• Température de stockage et de fonctionnement: -65 to +150 °C
• Boîtier: TO-92

Le MJE13003B est fabriqué dans un boîtier plastique TO-92. Lorsque l'on regarde le côté plat avec les fils dirigés vers le bas, les trois fils sortant du transistor sont, de gauche à droite, l'émetteur, le collecteur et la base.
Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.