Transistor bipolaire MJE1290

• Type de transistor: PNP
• Tension collecteur-émetteur maximum: -40 V
• Tension collecteur-base maximum: -40 V
• Tension émetteur-base maximum: -5 V
• Courant collecteur continu maximum: -15 A
• Dissipation de puissance maximum: 90 W
• Gain de courant (h_fe): 20 à 100
• Fréquence de transition minimum: 3 MHz
• Température de stockage et de fonctionnement: -65 to +150 °C
• Boîtier: TO-127

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.Le transistor NPN complémentaire du MJE1290 est le MJE1660.Vous pouvez remplacer le transistor MJE1290 par MJE1291.