Transistor bipolaire MJE1100

• Type de transistor: NPN
• Tension collecteur-émetteur maximum: 60 V
• Tension collecteur-base maximum: 60 V
• Tension émetteur-base maximum: 5 V
• Courant collecteur continu maximum: 5 A
• Dissipation de puissance maximum: 70 W
• Gain de courant (h_fe): 750
• Température de stockage et de fonctionnement: -65 to +150 °C
• Boîtier: TO-127

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.Le transistor PNP complémentaire du MJE1100 est le MJE1090.Vous pouvez remplacer le transistor MJE1100 par MJE1101, MJE1102 ou MJE1103.