Transistor bipolaire MJE1093

• Type de transistor: PNP
• Tension collecteur-émetteur maximum: -80 V
• Tension collecteur-base maximum: -80 V
• Tension émetteur-base maximum: -5 V
• Courant collecteur continu maximum: -5 A
• Dissipation de puissance maximum: 70 W
• Gain de courant (h_fe): 750
• Température de stockage et de fonctionnement: -65 to +150 °C
• Boîtier: TO-127

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.Le transistor NPN complémentaire du MJE1093 est le MJE1103.Vous pouvez remplacer le transistor MJE1093 par MJE1092.