Transistor bipolaire MJD3055-1G

• Type de transistor: NPN
• Tension collecteur-émetteur maximum: 60 V
• Tension collecteur-base maximum: 70 V
• Tension émetteur-base maximum: 5 V
• Courant collecteur continu maximum: 10 A
• Dissipation de puissance maximum: 20 W
• Gain de courant (h_fe): 20 à 100
• Fréquence de transition minimum: 2 MHz
• Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
• Boîtier: TO-251
• Electrically Similar to the Popular MJE3055T transistor
• Le MJD3055-1G est la version sans plomb du transistor MJD3055-1

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.Le transistor MJD3055-1G est marqué "J3055G".Vous pouvez remplacer le transistor MJD3055-1G par MJD3055-1.