Transistor bipolaire MJD2955T4G

Caractéristiques électriques du transistor MJD2955T4G

  • Type de transistor: PNP
  • Tension collecteur-émetteur maximum: -60 V
  • Tension collecteur-base maximum: -70 V
  • Tension émetteur-base maximum: -5 V
  • Courant collecteur continu maximum: -10 A
  • Dissipation de puissance maximum: 20 W
  • Gain de courant (hfe): 20 à 100
  • Fréquence de transition minimum: 2 MHz
  • Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
  • Boîtier: TO-252
  • Electrically Similar to the Popular MJE2955T transistor
  • Le MJD2955T4G est la version sans plomb du transistor MJD2955T4

Brochage du MJD2955T4G

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Marquage

Le transistor MJD2955T4G est marqué "J2955G".

Substituts et équivalents pour le transistor MJD2955T4G

Vous pouvez remplacer le transistor MJD2955T4G par MJD2955, MJD2955G ou MJD2955T4.
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