Transistor bipolaire MJD2955-1G

Caractéristiques électriques du transistor MJD2955-1G

  • Type de transistor: PNP
  • Tension collecteur-émetteur maximum: -60 V
  • Tension collecteur-base maximum: -70 V
  • Tension émetteur-base maximum: -5 V
  • Courant collecteur continu maximum: -10 A
  • Dissipation de puissance maximum: 20 W
  • Gain de courant (hfe): 20 à 100
  • Fréquence de transition minimum: 2 MHz
  • Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
  • Boîtier: TO-251
  • Electrically Similar to the Popular MJE2955T transistor
  • Le MJD2955-1G est la version sans plomb du transistor MJD2955-1

Brochage du MJD2955-1G

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Marquage

Le transistor MJD2955-1G est marqué "J2955G".

Substituts et équivalents pour le transistor MJD2955-1G

Vous pouvez remplacer le transistor MJD2955-1G par MJD2955-1.
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