Transistor bipolaire MJ15016G

Caractéristiques électriques du transistor MJ15016G

  • Type de transistor: PNP
  • Tension collecteur-émetteur maximum: -120 V
  • Tension collecteur-base maximum: -200 V
  • Tension émetteur-base maximum: -7 V
  • Courant collecteur continu maximum: -15 A
  • Dissipation de puissance maximum: 180 W
  • Gain de courant (hfe): 20 à 70
  • Fréquence de transition minimum: 2 MHz
  • Température de stockage et de fonctionnement: -65 to +200 °C
  • Boîtier: TO-3
  • Le MJ15016G est la version sans plomb du transistor MJ15016

Brochage du MJ15016G

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Complémentaire du transistor MJ15016G

Le transistor NPN complémentaire du MJ15016G est le MJ15015G.

Substituts et équivalents pour le transistor MJ15016G

Vous pouvez remplacer le transistor MJ15016G par 2N6030, 2N6438 ou MJ15016.
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