Transistor bipolaire KTD1146O

• Type de transistor: NPN
• Tension collecteur-émetteur maximum: 20 V
• Tension collecteur-base maximum: 40 V
• Tension émetteur-base maximum: 7 V
• Courant collecteur continu maximum: 5 A
• Dissipation de puissance maximum: 0.625 W
• Gain de courant (h_fe): 120 à 240
• Fréquence de transition minimum: 100 MHz
• Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
• Boîtier: TO-92

Le KTD1146O est fabriqué dans un boîtier plastique TO-92. Lorsque l'on regarde le côté plat avec les fils dirigés vers le bas, les trois fils sortant du transistor sont, de gauche à droite, l'émetteur, le collecteur et la base.
Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.Le transistor KTD1146O peut avoir un gain en courant continu de 120 à 240. Le gain en courant continu du KTD1146 est compris entre 120 à 700, celui du KTD1146GR entre 350 à 700, celui du KTD1146Y entre 200 à 400.