Transistor bipolaire KTD1146GR

Caractéristiques électriques du transistor KTD1146GR

  • Type de transistor: NPN
  • Tension collecteur-émetteur maximum: 20 V
  • Tension collecteur-base maximum: 40 V
  • Tension émetteur-base maximum: 7 V
  • Courant collecteur continu maximum: 5 A
  • Dissipation de puissance maximum: 0.625 W
  • Gain de courant (hfe): 350 à 700
  • Fréquence de transition minimum: 100 MHz
  • Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
  • Boîtier: TO-92

Brochage du KTD1146GR

Le KTD1146GR est fabriqué dans un boîtier plastique TO-92. Lorsque l'on regarde le côté plat avec les fils dirigés vers le bas, les trois fils sortant du transistor sont, de gauche à droite, l'émetteur, le collecteur et la base.
Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Classification de hFE

Le transistor KTD1146GR peut avoir un gain en courant continu de 350 à 700. Le gain en courant continu du KTD1146 est compris entre 120 à 700, celui du KTD1146O entre 120 à 240, celui du KTD1146Y entre 200 à 400.
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