Transistor bipolaire KTC3211O
Caractéristiques électriques du transistor KTC3211O
- Type de transistor: NPN
- Tension collecteur-émetteur maximum: 25 V
- Tension collecteur-base maximum: 40 V
- Tension émetteur-base maximum: 6 V
- Courant collecteur continu maximum: 1.5 A
- Dissipation de puissance maximum: 0.625 W
- Gain de courant (hfe): 85 à 160
- Fréquence de transition minimum: 100 MHz
- Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
- Boîtier: TO-92
Brochage du KTC3211O
Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.
Classification de hFE
Complémentaire du transistor KTC3211O
Version SMD du transistor KTC3211O
Substituts et équivalents pour le transistor KTC3211O
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