Transistor bipolaire KTC3211O

Caractéristiques électriques du transistor KTC3211O

  • Type de transistor: NPN
  • Tension collecteur-émetteur maximum: 25 V
  • Tension collecteur-base maximum: 40 V
  • Tension émetteur-base maximum: 6 V
  • Courant collecteur continu maximum: 1.5 A
  • Dissipation de puissance maximum: 0.625 W
  • Gain de courant (hfe): 85 à 160
  • Fréquence de transition minimum: 100 MHz
  • Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
  • Boîtier: TO-92

Brochage du KTC3211O

Le KTC3211O est fabriqué dans un boîtier plastique TO-92. Lorsque l'on regarde le côté plat avec les fils dirigés vers le bas, les trois fils sortant du transistor sont, de gauche à droite, l'émetteur, le collecteur et la base.
Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Classification de hFE

Le transistor KTC3211O peut avoir un gain en courant continu de 85 à 160. Le gain en courant continu du KTC3211 est compris entre 85 à 300, celui du KTC3211GR entre 160 à 300, celui du KTC3211Y entre 120 à 200.

Complémentaire du transistor KTC3211O

Le transistor PNP complémentaire du KTC3211O est le KTA1283O.

Version SMD du transistor KTC3211O

Le MPS8050S (SOT-23) et MPS8050S-B (SOT-23) est la version SMD du transistor KTC3211O.

Substituts et équivalents pour le transistor KTC3211O

Vous pouvez remplacer le transistor KTC3211O par 2SC2655 ou KTC3209.
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