Caractéristiques électriques du transistor KTC3211GR
Type de transistor: NPN
Tension collecteur-émetteur maximum: 25 V
Tension collecteur-base maximum: 40 V
Tension émetteur-base maximum: 6 V
Courant collecteur continu maximum: 1.5 A
Dissipation de puissance maximum: 0.625 W
Gain de courant (hfe): 160 à 300
Fréquence de transition minimum: 100 MHz
Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
Boîtier: TO-92
Brochage du KTC3211GR
Le KTC3211GR est fabriqué dans un boîtier plastique TO-92. Lorsque l'on regarde le côté plat avec les fils dirigés vers le bas, les trois fils sortant du transistor sont, de gauche à droite, l'émetteur, le collecteur et la base. Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.
Classification de hFE
Le transistor KTC3211GR peut avoir un gain en courant continu de 160 à 300. Le gain en courant continu du KTC3211 est compris entre 85 à 300, celui du KTC3211O entre 85 à 160, celui du KTC3211Y entre 120 à 200.
Complémentaire du transistor KTC3211GR
Le transistor PNP complémentaire du KTC3211GR est le KTA1283GR.
Version SMD du transistor KTC3211GR
Le FMMT449 (SOT-23), MPS8050S (SOT-23) et MPS8050S-D (SOT-23) est la version SMD du transistor KTC3211GR.
Substituts et équivalents pour le transistor KTC3211GR