Transistor bipolaire KTC2025D
Caractéristiques électriques du transistor KTC2025D
- Type de transistor: NPN
- Tension collecteur-émetteur maximum: 120 V
- Tension collecteur-base maximum: 120 V
- Tension émetteur-base maximum: 5 V
- Courant collecteur continu maximum: 1 A
- Dissipation de puissance maximum: 8 W
- Gain de courant (hfe): 100 à 320
- Fréquence de transition minimum: 130 MHz
- Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
- Boîtier: TO-252
Brochage du KTC2025D
Classification de hFE
Complémentaire du transistor KTC2025D
Version SMD du transistor KTC2025D
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