Caractéristiques électriques du transistor KSD261CG
Type de transistor: NPN
Tension collecteur-émetteur maximum: 20 V
Tension collecteur-base maximum: 40 V
Tension émetteur-base maximum: 5 V
Courant collecteur continu maximum: 0.5 A
Dissipation de puissance maximum: 0.5 W
Gain de courant (hfe): 200 à 400
Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
Boîtier: TO-92
Brochage du KSD261CG
Le KSD261CG est fabriqué dans un boîtier plastique TO-92. Lorsque l'on regarde le côté plat avec les fils dirigés vers le bas, les trois fils sortant du transistor sont, de gauche à droite, l'émetteur, le collecteur et la base. Le suffixe "C" signifie collecteur central dans le KSD261G. Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.
Classification de hFE
Le transistor KSD261CG peut avoir un gain en courant continu de 200 à 400. Le gain en courant continu du KSD261C est compris entre 120 à 400, celui du KSD261CY entre 120 à 240.
Complémentaire du transistor KSD261CG
Le transistor PNP complémentaire du KSD261CG est le KSA643CG.