Transistor bipolaire KSD261C

Caractéristiques électriques du transistor KSD261C

  • Type de transistor: NPN
  • Tension collecteur-émetteur maximum: 20 V
  • Tension collecteur-base maximum: 40 V
  • Tension émetteur-base maximum: 5 V
  • Courant collecteur continu maximum: 0.5 A
  • Dissipation de puissance maximum: 0.5 W
  • Gain de courant (hfe): 120 à 400
  • Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
  • Boîtier: TO-92

Brochage du KSD261C

Le KSD261C est fabriqué dans un boîtier plastique TO-92. Lorsque l'on regarde le côté plat avec les fils dirigés vers le bas, les trois fils sortant du transistor sont, de gauche à droite, l'émetteur, le collecteur et la base. Le suffixe "C" signifie collecteur central dans le KSD261.
Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Classification de hFE

Le transistor KSD261C peut avoir un gain en courant continu de 120 à 400. Le gain en courant continu du KSD261CG est compris entre 200 à 400, celui du KSD261CY entre 120 à 240.

Complémentaire du transistor KSD261C

Le transistor PNP complémentaire du KSD261C est le KSA643C.

Substituts et équivalents pour le transistor KSD261C

Vous pouvez remplacer le transistor KSD261C par 2N3394, 2N3706, 2SC1959, 2SC2001, 2SC3266, 2SD471, 2SD545, 2SD734, KSD1020, KSD1021, KSD471AC, KTC3266 ou KTD1146.
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