Transistor bipolaire KSC5026M

Caractéristiques électriques du transistor KSC5026M

  • Type de transistor: NPN
  • Tension collecteur-émetteur maximum: 800 V
  • Tension collecteur-base maximum: 1100 V
  • Tension émetteur-base maximum: 7 V
  • Courant collecteur continu maximum: 1.5 A
  • Dissipation de puissance maximum: 20 W
  • Gain de courant (hfe): 10 à 40
  • Fréquence de transition minimum: 15 MHz
  • Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
  • Boîtier: TO-126
  • Electrically Similar to the Popular KSC5026 transistor

Brochage du KSC5026M

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Classification de hFE

Le transistor KSC5026M peut avoir un gain en courant continu de 10 à 40. Le gain en courant continu du KSC5026M-N est compris entre 10 à 20, celui du KSC5026M-O entre 20 à 40, celui du KSC5026M-R entre 15 à 30.
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