Transistor bipolaire KSC5026-N

Caractéristiques électriques du transistor KSC5026-N

  • Type de transistor: NPN
  • Tension collecteur-émetteur maximum: 800 V
  • Tension collecteur-base maximum: 1100 V
  • Tension émetteur-base maximum: 7 V
  • Courant collecteur continu maximum: 1.5 A
  • Dissipation de puissance maximum: 40 W
  • Gain de courant (hfe): 10 à 20
  • Fréquence de transition minimum: 15 MHz
  • Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
  • Boîtier: TO-220

Brochage du KSC5026-N

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Classification de hFE

Le transistor KSC5026-N peut avoir un gain en courant continu de 10 à 20. Le gain en courant continu du KSC5026 est compris entre 10 à 40, celui du KSC5026-O entre 20 à 40, celui du KSC5026-R entre 15 à 30.

Substituts et équivalents pour le transistor KSC5026-N

Vous pouvez remplacer le transistor KSC5026-N par 2SC3149, 2SC3149K, 2SC3150, 2SC3150-K, 2SC3456, 2SC3456-L, 2SC3457, 2SC3457-L, 2SC3751, 2SC3751-K, 2SC3752, 2SC3752-K, 2SC3866, FJPF5027, FJPF5027-N, KSC5027, KSC5027-N, KSC5027F, KSC5027F-N ou MJE8503.
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