Transistor bipolaire KSC5019-N

Caractéristiques électriques du transistor KSC5019-N

  • Type de transistor: NPN
  • Tension collecteur-émetteur maximum: 30 V
  • Tension collecteur-base maximum: 30 V
  • Tension émetteur-base maximum: 10 V
  • Courant collecteur continu maximum: 2 A
  • Dissipation de puissance maximum: 0.75 W
  • Gain de courant (hfe): 300 à 450
  • Fréquence de transition minimum: 150 MHz
  • Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
  • Boîtier: TO-92

Brochage du KSC5019-N

Le KSC5019-N est fabriqué dans un boîtier plastique TO-92. Lorsque l'on regarde le côté plat avec les fils dirigés vers le bas, les trois fils sortant du transistor sont, de gauche à droite, l'émetteur, le collecteur et la base.
Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Classification de hFE

Le transistor KSC5019-N peut avoir un gain en courant continu de 300 à 450. Le gain en courant continu du KSC5019 est compris entre 140 à 600, celui du KSC5019-L entre 140 à 240, celui du KSC5019-M entre 200 à 330, celui du KSC5019-P entre 420 à 600.

Version SMD du transistor KSC5019-N

Le 2STR1230 (SOT-23) est la version SMD du transistor KSC5019-N.

Substituts et équivalents pour le transistor KSC5019-N

Vous pouvez remplacer le transistor KSC5019-N par 2SC2500, 2SC2500-A, 2SC2500-B, 2SC2500-C, 2SC2500-D, 2SD1207, 2SD1207-U, 2SD1347, 2SD1347U, 2SD1835, 2SD1835-U, KSC2500, KSC2500-A, KSC2500-B, KSC2500-C ou KSC2500-D.
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