Caractéristiques électriques du transistor KSC5019-M
Type de transistor: NPN
Tension collecteur-émetteur maximum: 30 V
Tension collecteur-base maximum: 30 V
Tension émetteur-base maximum: 10 V
Courant collecteur continu maximum: 2 A
Dissipation de puissance maximum: 0.75 W
Gain de courant (hfe): 200 à 330
Fréquence de transition minimum: 150 MHz
Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
Boîtier: TO-92
Brochage du KSC5019-M
Le KSC5019-M est fabriqué dans un boîtier plastique TO-92. Lorsque l'on regarde le côté plat avec les fils dirigés vers le bas, les trois fils sortant du transistor sont, de gauche à droite, l'émetteur, le collecteur et la base. Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.
Classification de hFE
Le transistor KSC5019-M peut avoir un gain en courant continu de 200 à 330. Le gain en courant continu du KSC5019 est compris entre 140 à 600, celui du KSC5019-L entre 140 à 240, celui du KSC5019-N entre 300 à 450, celui du KSC5019-P entre 420 à 600.
Version SMD du transistor KSC5019-M
Le 2STR1230 (SOT-23), KTC4375 (SOT-89) et KTC4375Y (SOT-89) est la version SMD du transistor KSC5019-M.
Substituts et équivalents pour le transistor KSC5019-M
