Transistor bipolaire KSC1009R
Caractéristiques électriques du transistor KSC1009R
- Type de transistor: NPN
- Tension collecteur-émetteur maximum: 140 V
- Tension collecteur-base maximum: 160 V
- Tension émetteur-base maximum: 8 V
- Courant collecteur continu maximum: 0.7 A
- Dissipation de puissance maximum: 0.8 W
- Gain de courant (hfe): 40 à 80
- Fréquence de transition minimum: 30 MHz
- Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
- Boîtier: TO-92
- Electrically Similar to the Popular 2SC1009R transistor
Brochage du KSC1009R
Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.
Classification de hFE
Complémentaire du transistor KSC1009R
Transistor KSC1009R en boîtier TO-92
Substituts et équivalents pour le transistor KSC1009R
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