Transistor bipolaire KSC1009R

Caractéristiques électriques du transistor KSC1009R

  • Type de transistor: NPN
  • Tension collecteur-émetteur maximum: 140 V
  • Tension collecteur-base maximum: 160 V
  • Tension émetteur-base maximum: 8 V
  • Courant collecteur continu maximum: 0.7 A
  • Dissipation de puissance maximum: 0.8 W
  • Gain de courant (hfe): 40 à 80
  • Fréquence de transition minimum: 30 MHz
  • Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
  • Boîtier: TO-92
  • Electrically Similar to the Popular 2SC1009R transistor

Brochage du KSC1009R

Le KSC1009R est fabriqué dans un boîtier plastique TO-92. Lorsque l'on regarde le côté plat avec les fils dirigés vers le bas, les trois fils sortant du transistor sont, de gauche à droite, l'émetteur, la base et le collecteur. Le transistor KSC1009CR (avec le suffixe "C") est la version à collecteur central du KSC1009R.
Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Classification de hFE

Le transistor KSC1009R peut avoir un gain en courant continu de 40 à 80. Le gain en courant continu du KSC1009 est compris entre 40 à 400, celui du KSC1009G entre 200 à 400, celui du KSC1009O entre 70 à 140, celui du KSC1009Y entre 120 à 240.

Complémentaire du transistor KSC1009R

Le transistor PNP complémentaire du KSC1009R est le KSA709G.

Transistor KSC1009R en boîtier TO-92

Le 2SC1009R est la version TO-92 du KSC1009R.

Substituts et équivalents pour le transistor KSC1009R

Vous pouvez remplacer le transistor KSC1009R par 2SC1009 ou 2SC1009R.
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