Transistor bipolaire KSC1009CY

Caractéristiques électriques du transistor KSC1009CY

  • Type de transistor: NPN
  • Tension collecteur-émetteur maximum: 140 V
  • Tension collecteur-base maximum: 160 V
  • Tension émetteur-base maximum: 8 V
  • Courant collecteur continu maximum: 0.7 A
  • Dissipation de puissance maximum: 0.8 W
  • Gain de courant (hfe): 120 à 240
  • Fréquence de transition minimum: 30 MHz
  • Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
  • Boîtier: TO-92

Brochage du KSC1009CY

Le KSC1009CY est fabriqué dans un boîtier plastique TO-92. Lorsque l'on regarde le côté plat avec les fils dirigés vers le bas, les trois fils sortant du transistor sont, de gauche à droite, l'émetteur, le collecteur et la base. Le suffixe "C" signifie collecteur central dans le KSC1009Y.
Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Classification de hFE

Le transistor KSC1009CY peut avoir un gain en courant continu de 120 à 240. Le gain en courant continu du KSC1009C est compris entre 40 à 400, celui du KSC1009CG entre 200 à 400, celui du KSC1009CO entre 70 à 140, celui du KSC1009CR entre 40 à 80.

Complémentaire du transistor KSC1009CY

Le transistor PNP complémentaire du KSC1009CY est le KSA709CY.

Version SMD du transistor KSC1009CY

Le 2N5551S (SOT-23), DXT5551 (SOT-89), DZT5551 (SOT-223), KST5550 (SOT-23), KST5551 (SOT-23), MMBT5550 (SOT-23) et MMBT5551 (SOT-23) est la version SMD du transistor KSC1009CY.

Substituts et équivalents pour le transistor KSC1009CY

Vous pouvez remplacer le transistor KSC1009CY par 2SC2383, 2SC3228, 2SC3332, KSC2383 ou KTC3228.
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