Transistor bipolaire KSC1009CR

• Type de transistor: NPN
• Tension collecteur-émetteur maximum: 140 V
• Tension collecteur-base maximum: 160 V
• Tension émetteur-base maximum: 8 V
• Courant collecteur continu maximum: 0.7 A
• Dissipation de puissance maximum: 0.8 W
• Gain de courant (h_fe): 40 à 80
• Fréquence de transition minimum: 30 MHz
• Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
• Boîtier: TO-92

Le KSC1009CR est fabriqué dans un boîtier plastique TO-92. Lorsque l'on regarde le côté plat avec les fils dirigés vers le bas, les trois fils sortant du transistor sont, de gauche à droite, l'émetteur, le collecteur et la base. Le suffixe "C" signifie collecteur central dans le KSC1009R.
Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.Le transistor KSC1009CR peut avoir un gain en courant continu de 40 à 80. Le gain en courant continu du KSC1009C est compris entre 40 à 400, celui du KSC1009CG entre 200 à 400, celui du KSC1009CO entre 70 à 140, celui du KSC1009CY entre 120 à 240.Le transistor PNP complémentaire du KSC1009CR est le KSA709CG.