Transistor bipolaire KSC1009CG
Caractéristiques électriques du transistor KSC1009CG
- Type de transistor: NPN
- Tension collecteur-émetteur maximum: 140 V
- Tension collecteur-base maximum: 160 V
- Tension émetteur-base maximum: 8 V
- Courant collecteur continu maximum: 0.7 A
- Dissipation de puissance maximum: 0.8 W
- Gain de courant (hfe): 200 à 400
- Fréquence de transition minimum: 30 MHz
- Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
- Boîtier: TO-92
Brochage du KSC1009CG
Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.
Classification de hFE
Substituts et équivalents pour le transistor KSC1009CG
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