Transistor bipolaire KSB810

• Type de transistor: PNP
• Tension collecteur-émetteur maximum: -25 V
• Tension collecteur-base maximum: -30 V
• Tension émetteur-base maximum: -5 V
• Courant collecteur continu maximum: -0.7 A
• Dissipation de puissance maximum: 0.35 W
• Gain de courant (h_fe): 70 à 400
• Fréquence de transition minimum: 160 MHz
• Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
• Boîtier: TO-92S

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.Le transistor KSB810 peut avoir un gain en courant continu de 70 à 400. Le gain en courant continu du KSB810-G est compris entre 200 à 400, celui du KSB810-O entre 70 à 140, celui du KSB810-Y entre 120 à 240.Le transistor NPN complémentaire du KSB810 est le KSD1020.Le 2SA1588 (SOT-323), KTA1505 (SOT-23) et KTA1505S (SOT-23) est la version SMD du transistor KSB810.Vous pouvez remplacer le transistor KSB810 par 2N4954, 2SB598, KSB564AC ou KSB811.