Transistor bipolaire KSA1156N
Caractéristiques électriques du transistor KSA1156N
- Type de transistor: PNP
- Tension collecteur-émetteur maximum: -400 V
- Tension collecteur-base maximum: -400 V
- Tension émetteur-base maximum: -7 V
- Courant collecteur continu maximum: -0.5 A
- Dissipation de puissance maximum: 10 W
- Gain de courant (hfe): 30 à 60
- Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
- Boîtier: TO-126
- Electrically Similar to the Popular 2SA1156N transistor
Brochage du KSA1156N
Classification de hFE
Complémentaire du transistor KSA1156N
Substituts et équivalents pour le transistor KSA1156N
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