Transistor bipolaire HSB1109S-D

• Type de transistor: PNP
• Tension collecteur-émetteur maximum: -160 V
• Tension collecteur-base maximum: -160 V
• Tension émetteur-base maximum: -5 V
• Courant collecteur continu maximum: -0.1 A
• Dissipation de puissance maximum: 0.9 W
• Gain de courant (h_fe): 160 à 320
• Fréquence de transition minimum: 140 MHz
• Température de stockage et de fonctionnement: -50 to +150 °C
• Boîtier: TO-92
• Electrically Similar to the Popular 2SB1109-D transistor

Le HSB1109S-D est fabriqué dans un boîtier plastique TO-92. Lorsque l'on regarde le côté plat avec les fils dirigés vers le bas, les trois fils sortant du transistor sont, de gauche à droite, l'émetteur, le collecteur et la base.
Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.Le transistor HSB1109S-D peut avoir un gain en courant continu de 160 à 320. Le gain en courant continu du HSB1109S est compris entre 60 à 320, celui du HSB1109S-B entre 60 à 120, celui du HSB1109S-C entre 100 à 200.Le transistor NPN complémentaire du HSB1109S-D est le HSD1609S-D.Vous pouvez remplacer le transistor HSB1109S-D par 2SA1275, 2SA1275-Y, 2SA1319, 2SA1370, 2SA1370-F, 2SA1371, 2SA1371-F, 2SA1376, 2SA1376A, 2SA1624, 2SA1624-F, KSA1013, KSA1013Y, KTA1275, KTA1275Y ou KTA1279.