Transistor bipolaire BST40
Caractéristiques électriques du transistor BST40
- Type de transistor: NPN
- Tension collecteur-émetteur maximum: 350 V
- Tension collecteur-base maximum: 400 V
- Tension émetteur-base maximum: 5 V
- Courant collecteur continu maximum: 0.1 A
- Dissipation de puissance maximum: 1.3 W
- Gain de courant (hfe): 0 à 40
- Fréquence de transition minimum: 70 MHz
- Température de stockage et de fonctionnement: -65 to +150 °C
- Boîtier: SOT-89
Brochage du BST40
Marquage
Complémentaire du transistor BST40
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