Transistor bipolaire BDX33

Caractéristiques électriques du transistor BDX33

  • Type de transistor: NPN
  • Tension collecteur-émetteur maximum: 45 V
  • Tension collecteur-base maximum: 45 V
  • Tension émetteur-base maximum: 5 V
  • Courant collecteur continu maximum: 10 A
  • Dissipation de puissance maximum: 70 W
  • Gain de courant (hfe): 750
  • Température de stockage et de fonctionnement: -65 to +150 °C
  • Boîtier: TO-220

Brochage du BDX33

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Equivalent circuit

BDX33 equivalent circuit

Complémentaire du transistor BDX33

Le transistor PNP complémentaire du BDX33 est le BDX34.

Substituts et équivalents pour le transistor BDX33

Vous pouvez remplacer le transistor BDX33 par 2N6387, 2N6387G, 2N6388, 2N6388G, 2SD1192, 2SD1827, BDT63, BDT63A, BDT65, BDT65A, BDW39, BDW40, BDW41, BDW41G, BDW93, BDW93A, BDW93B, BDX33A, BDX33B, BDX33BG, TIP140T ou TIP141T.
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