Transistor bipolaire BDT32A
Caractéristiques électriques du transistor BDT32A
- Type de transistor: PNP
- Tension collecteur-émetteur maximum: -60 V
- Tension collecteur-base maximum: -100 V
- Tension émetteur-base maximum: -5 V
- Courant collecteur continu maximum: -3 A
- Dissipation de puissance maximum: 40 W
- Gain de courant (hfe): 10 à 50
- Fréquence de transition minimum: 3 MHz
- Température de stockage et de fonctionnement: -65 to +150 °C
- Boîtier: TO-220
Brochage du BDT32A
Complémentaire du transistor BDT32A
Substituts et équivalents pour le transistor BDT32A
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