Transistor bipolaire BD676AG

Caractéristiques électriques du transistor BD676AG

  • Type de transistor: PNP
  • Tension collecteur-émetteur maximum: -45 V
  • Tension collecteur-base maximum: -45 V
  • Tension émetteur-base maximum: -5 V
  • Courant collecteur continu maximum: -4 A
  • Dissipation de puissance maximum: 40 W
  • Gain de courant (hfe): 750
  • Température de stockage et de fonctionnement: -65 to +150 °C
  • Boîtier: TO-126
  • Le BD676AG est la version sans plomb du transistor BD676A

Brochage du BD676AG

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Complémentaire du transistor BD676AG

Le transistor NPN complémentaire du BD676AG est le BD675AG.

Substituts et équivalents pour le transistor BD676AG

Vous pouvez remplacer le transistor BD676AG par 2N6035, 2N6035G, 2N6036, 2N6036G, BD676, BD676A, BD676G, BD678, BD678A, BD678AG, BD678G, BD680, BD680A, BD680AG, BD680G, BD776, BD778, BD780, KSE700, KSE701, KSE702, KSE703, MJE700, MJE700G, MJE701, MJE701G, MJE702, MJE702G, MJE703 ou MJE703G.
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