Transistor bipolaire BCW68G
Caractéristiques électriques du transistor BCW68G
- Type de transistor: PNP
- Tension collecteur-émetteur maximum: -45 V
- Tension collecteur-base maximum: -60 V
- Tension émetteur-base maximum: -5 V
- Courant collecteur continu maximum: -0.8 A
- Dissipation de puissance maximum: 0.35 W
- Gain de courant (hfe): 160 à 400
- Fréquence de transition minimum: 100 MHz
- Température de stockage et de fonctionnement: -65 to +150 °C
- Boîtier: SOT-23
Brochage du BCW68G
Classification de hFE
Complémentaire du transistor BCW68G
Substituts et équivalents pour le transistor BCW68G
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