Transistor bipolaire BCP69-10

Caractéristiques électriques du transistor BCP69-10

  • Type de transistor: PNP
  • Tension collecteur-émetteur maximum: -20 V
  • Tension collecteur-base maximum: -30 V
  • Tension émetteur-base maximum: -5 V
  • Courant collecteur continu maximum: -1 A
  • Dissipation de puissance maximum: 1.5 W
  • Gain de courant (hfe): 85 à 160
  • Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
  • Boîtier: SOT-223

Brochage du BCP69-10

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Complémentaire du transistor BCP69-10

Le transistor NPN complémentaire du BCP69-10 est le BCP68-10.

Substituts et équivalents pour le transistor BCP69-10

Vous pouvez remplacer le transistor BCP69-10 par BCP69.
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