Transistor bipolaire BC849BW

Caractéristiques électriques du transistor BC849BW

  • Type de transistor: NPN
  • Tension collecteur-émetteur maximum: 30 V
  • Tension collecteur-base maximum: 30 V
  • Tension émetteur-base maximum: 5 V
  • Courant collecteur continu maximum: 0.1 A
  • Dissipation de puissance maximum: 0.2 W
  • Gain de courant (hfe): 200 à 450
  • Fréquence de transition minimum: 150 MHz
  • Figure de bruit maximum: 1.2 dB
  • Température de stockage et de fonctionnement: -65 to +150 °C
  • Boîtier: SOT-323

Brochage du BC849BW

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Classification de hFE

Le transistor BC849BW peut avoir un gain en courant continu de 200 à 450. Le gain en courant continu du BC849AW est compris entre 110 à 220, celui du BC849CW entre 420 à 800, celui du BC849W entre 110 à 800.

Complémentaire du transistor BC849BW

Le transistor PNP complémentaire du BC849BW est le BC859BW.

Substituts et équivalents pour le transistor BC849BW

Vous pouvez remplacer le transistor BC849BW par 2SC4116, BC817W, BC847BW, BC847W, BC848BW, BC848W, BC850BW, BC850W ou FJX945.
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