Transistor bipolaire BC416C

Caractéristiques électriques du transistor BC416C

  • Type de transistor: PNP
  • Tension collecteur-émetteur maximum: -45 V
  • Tension collecteur-base maximum: -50 V
  • Tension émetteur-base maximum: -5 V
  • Courant collecteur continu maximum: -0.1 A
  • Dissipation de puissance maximum: 0.3 W
  • Gain de courant (hfe): 380 à 800
  • Fréquence de transition minimum: 200 MHz
  • Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
  • Boîtier: TO-92

Brochage du BC416C

Le BC416C est fabriqué dans un boîtier plastique TO-92. Lorsque l'on regarde le côté plat avec les fils dirigés vers le bas, les trois fils sortant du transistor sont, de gauche à droite, le collecteur, la base et l'émetteur.
Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Classification de hFE

Le transistor BC416C peut avoir un gain en courant continu de 380 à 800. Le gain en courant continu du BC416 est compris entre 180 à 800, celui du BC416B entre 180 à 460.

Complémentaire du transistor BC416C

Le transistor NPN complémentaire du BC416C est le BC414C.

Version SMD du transistor BC416C

Le BC857 (SOT-23), BC857W (SOT-323), BC860 (SOT-23), BC860W (SOT-323), KST5087 (SOT-23) et MMBT5087 (SOT-23) est la version SMD du transistor BC416C.

Substituts et équivalents pour le transistor BC416C

Vous pouvez remplacer le transistor BC416C par BC251, BC251C, BC307, BC307C, BC556, BC557 ou BC560.
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