Transistor bipolaire 2SD965Q

Caractéristiques électriques du transistor 2SD965Q

  • Type de transistor: NPN
  • Tension collecteur-émetteur maximum: 20 V
  • Tension collecteur-base maximum: 40 V
  • Courant collecteur continu maximum: 5 A
  • Dissipation de puissance maximum: 0.75 W
  • Gain de courant (hfe): 230 à 380
  • Fréquence de transition minimum: 150 MHz
  • Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
  • Boîtier: TO-92

Brochage du 2SD965Q

Le 2SD965Q est fabriqué dans un boîtier plastique TO-92. Lorsque l'on regarde le côté plat avec les fils dirigés vers le bas, les trois fils sortant du transistor sont, de gauche à droite, l'émetteur, le collecteur et la base.
Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Classification de hFE

Le transistor 2SD965Q peut avoir un gain en courant continu de 230 à 380. Le gain en courant continu du 2SD965 est compris entre 230 à 600, celui du 2SD965R entre 340 à 600.

Marquage

Parfois, le préfixe "2S" n'est pas marqué sur l'emballage - le transistor 2SD965Q peut n'être marqué que D965Q.

Substituts et équivalents pour le transistor 2SD965Q

Vous pouvez remplacer le transistor 2SD965Q par KTD1146 ou KTD1146Y.
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