Transistor bipolaire 2SD965Q
Caractéristiques électriques du transistor 2SD965Q
- Type de transistor: NPN
- Tension collecteur-émetteur maximum: 20 V
- Tension collecteur-base maximum: 40 V
- Courant collecteur continu maximum: 5 A
- Dissipation de puissance maximum: 0.75 W
- Gain de courant (hfe): 230 à 380
- Fréquence de transition minimum: 150 MHz
- Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
- Boîtier: TO-92
Brochage du 2SD965Q
Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.
Classification de hFE
Marquage
Substituts et équivalents pour le transistor 2SD965Q
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