Caractéristiques électriques du transistor 2SD856-R
Type de transistor: NPN
Tension collecteur-émetteur maximum: 60 V
Tension collecteur-base maximum: 60 V
Tension émetteur-base maximum: 5 V
Courant collecteur continu maximum: 3 A
Dissipation de puissance maximum: 35 W
Gain de courant (hfe): 40 à 90
Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
Boîtier: TO-220
Brochage du 2SD856-R
Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.
Classification de hFE
Le transistor 2SD856-R peut avoir un gain en courant continu de 40 à 90. Le gain en courant continu du 2SD856 est compris entre 40 à 250, celui du 2SD856-P entre 120 à 250, celui du 2SD856-Q entre 70 à 150.
Marquage
Parfois, le préfixe "2S" n'est pas marqué sur l'emballage - le transistor 2SD856-R peut n'être marqué que D856-R.
Complémentaire du transistor 2SD856-R
Le transistor PNP complémentaire du 2SD856-R est le 2SB761-R.
Substituts et équivalents pour le transistor 2SD856-R