Transistor bipolaire 2SD809-L

Caractéristiques électriques du transistor 2SD809-L

  • Type de transistor: NPN
  • Tension collecteur-émetteur maximum: 50 V
  • Tension collecteur-base maximum: 100 V
  • Tension émetteur-base maximum: 6 V
  • Courant collecteur continu maximum: 1 A
  • Dissipation de puissance maximum: 10 W
  • Gain de courant (hfe): 135 à 270
  • Fréquence de transition minimum: 85 MHz
  • Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
  • Boîtier: TO-126

Brochage du 2SD809-L

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Classification de hFE

Le transistor 2SD809-L peut avoir un gain en courant continu de 135 à 270. Le gain en courant continu du 2SD809 est compris entre 135 à 600, celui du 2SD809-E entre 360 à 600, celui du 2SD809-F entre 300 à 480, celui du 2SD809-K entre 200 à 400.

Marquage

Parfois, le préfixe "2S" n'est pas marqué sur l'emballage - le transistor 2SD809-L peut n'être marqué que D809-L.

Version SMD du transistor 2SD809-L

Le 2SD1615A (SOT-89) et 2SD1615A-GQ (SOT-89) est la version SMD du transistor 2SD809-L.

Substituts et équivalents pour le transistor 2SD809-L

Vous pouvez remplacer le transistor 2SD809-L par 2SD1348, 2SD1682, 2SD1683, 2SD1684, 2SD1722, 2SD1723, 2SD1724, 2SD1725, 2SD600, 2SD794A, BD167, BD169, BD189, BD235, BD235G, BD237, BD237G, BD377, BD379, BDX35, BDX36, BDX37, KSD794A, MJE225, MJE242, MJE244, MJE721 ou MJE722.
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