Transistor bipolaire 2SD809-F

Caractéristiques électriques du transistor 2SD809-F

  • Type de transistor: NPN
  • Tension collecteur-émetteur maximum: 50 V
  • Tension collecteur-base maximum: 100 V
  • Tension émetteur-base maximum: 6 V
  • Courant collecteur continu maximum: 1 A
  • Dissipation de puissance maximum: 10 W
  • Gain de courant (hfe): 300 à 480
  • Fréquence de transition minimum: 85 MHz
  • Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
  • Boîtier: TO-126

Brochage du 2SD809-F

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Classification de hFE

Le transistor 2SD809-F peut avoir un gain en courant continu de 300 à 480. Le gain en courant continu du 2SD809 est compris entre 135 à 600, celui du 2SD809-E entre 360 à 600, celui du 2SD809-K entre 200 à 400, celui du 2SD809-L entre 135 à 270.

Marquage

Parfois, le préfixe "2S" n'est pas marqué sur l'emballage - le transistor 2SD809-F peut n'être marqué que D809-F.

Substituts et équivalents pour le transistor 2SD809-F

Vous pouvez remplacer le transistor 2SD809-F par 2SD1348, 2SD1348-U, 2SD1682, 2SD1682-U, 2SD1683, 2SD1683-U, BD167, BD169, BD189, BD235, BD235G, BD237, BD237G, MJE225, MJE242, MJE244, MJE721 ou MJE722.
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