Transistor bipolaire 2SD809-E

• Type de transistor: NPN
• Tension collecteur-émetteur maximum: 50 V
• Tension collecteur-base maximum: 100 V
• Tension émetteur-base maximum: 6 V
• Courant collecteur continu maximum: 1 A
• Dissipation de puissance maximum: 10 W
• Gain de courant (h_fe): 360 à 600
• Fréquence de transition minimum: 85 MHz
• Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
• Boîtier: TO-126

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.Le transistor 2SD809-E peut avoir un gain en courant continu de 360 à 600. Le gain en courant continu du 2SD809 est compris entre 135 à 600, celui du 2SD809-F entre 300 à 480, celui du 2SD809-K entre 200 à 400, celui du 2SD809-L entre 135 à 270.Parfois, le préfixe "2S" n'est pas marqué sur l'emballage - le transistor 2SD809-E peut n'être marqué que D809-E.Vous pouvez remplacer le transistor 2SD809-E par BD167, BD169, BD189, BD235, BD235G, BD237, BD237G, MJE225, MJE242, MJE244, MJE721 ou MJE722.