Caractéristiques électriques du transistor 2SD756-D
Type de transistor: NPN
Tension collecteur-émetteur maximum: 120 V
Tension collecteur-base maximum: 120 V
Tension émetteur-base maximum: 5 V
Courant collecteur continu maximum: 0.05 A
Dissipation de puissance maximum: 0.75 W
Gain de courant (hfe): 250 à 500
Fréquence de transition minimum: 350 MHz
Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
Boîtier: TO-92MOD
Brochage du 2SD756-D
Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.
Classification de hFE
Le transistor 2SD756-D peut avoir un gain en courant continu de 250 à 500. Le gain en courant continu du 2SD756 est compris entre 250 à 800, celui du 2SD756-E entre 400 à 800.
Marquage
Parfois, le préfixe "2S" n'est pas marqué sur l'emballage - le transistor 2SD756-D peut n'être marqué que D756-D.
Complémentaire du transistor 2SD756-D
Le transistor PNP complémentaire du 2SD756-D est le 2SB716-D.
Version SMD du transistor 2SD756-D
Le 2SC1622A (SOT-23) et FJV1845 (SOT-23) est la version SMD du transistor 2SD756-D.
Substituts et équivalents pour le transistor 2SD756-D