Caractéristiques électriques du transistor 2SD755-E
Type de transistor: NPN
Tension collecteur-émetteur maximum: 100 V
Tension collecteur-base maximum: 100 V
Tension émetteur-base maximum: 5 V
Courant collecteur continu maximum: 0.05 A
Dissipation de puissance maximum: 0.75 W
Gain de courant (hfe): 400 à 800
Fréquence de transition minimum: 350 MHz
Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
Boîtier: TO-92MOD
Brochage du 2SD755-E
Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.
Classification de hFE
Le transistor 2SD755-E peut avoir un gain en courant continu de 400 à 800. Le gain en courant continu du 2SD755 est compris entre 250 à 1200, celui du 2SD755-D entre 250 à 500, celui du 2SD755-F entre 600 à 1200.
Marquage
Parfois, le préfixe "2S" n'est pas marqué sur l'emballage - le transistor 2SD755-E peut n'être marqué que D755-E.
Complémentaire du transistor 2SD755-E
Le transistor PNP complémentaire du 2SD755-E est le 2SB715-E.
Version SMD du transistor 2SD755-E
Le 2SC1622A (SOT-23), FJV1845 (SOT-23) et FJV1845-E (SOT-23) est la version SMD du transistor 2SD755-E.
Substituts et équivalents pour le transistor 2SD755-E