Transistor bipolaire 2SD745B-S

Caractéristiques électriques du transistor 2SD745B-S

  • Type de transistor: NPN
  • Tension collecteur-émetteur maximum: 160 V
  • Tension collecteur-base maximum: 160 V
  • Tension émetteur-base maximum: 5 V
  • Courant collecteur continu maximum: 10 A
  • Dissipation de puissance maximum: 120 W
  • Gain de courant (hfe): 40 à 80
  • Fréquence de transition minimum: 15 MHz
  • Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
  • Boîtier: TO-3

Brochage du 2SD745B-S

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Classification de hFE

Le transistor 2SD745B-S peut avoir un gain en courant continu de 40 à 80. Le gain en courant continu du 2SD745B est compris entre 40 à 200, celui du 2SD745B-Q entre 100 à 200, celui du 2SD745B-R entre 60 à 120.

Marquage

Parfois, le préfixe "2S" n'est pas marqué sur l'emballage - le transistor 2SD745B-S peut n'être marqué que D745B-S.

Complémentaire du transistor 2SD745B-S

Le transistor PNP complémentaire du 2SD745B-S est le 2SB705B-S.

Substituts et équivalents pour le transistor 2SD745B-S

Vous pouvez remplacer le transistor 2SD745B-S par 2N6676, 2SC2428, 2SD424, 2SD424-R, 2SD552, 2SD552-R, 2SD555, 2SD555-S, 2SD733K, 2SD733K-C, 2SD746, 2SD746-S, 2SD746A, 2SD746A-S, 2SD753, BUY69C, BUY70C, MJ15011 ou MJ15011G.
Si vous trouvez une erreur, veuillez envoyer un e-mail à mail@el-component.com