Transistor bipolaire 2SD667C

Caractéristiques électriques du transistor 2SD667C

  • Type de transistor: NPN
  • Tension collecteur-émetteur maximum: 80 V
  • Tension collecteur-base maximum: 120 V
  • Tension émetteur-base maximum: 5 V
  • Courant collecteur continu maximum: 1 A
  • Dissipation de puissance maximum: 0.9 W
  • Gain de courant (hfe): 100 à 200
  • Fréquence de transition minimum: 140 MHz
  • Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
  • Boîtier: TO-92MOD

Brochage du 2SD667C

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Classification de hFE

Le transistor 2SD667C peut avoir un gain en courant continu de 100 à 200. Le gain en courant continu du 2SD667 est compris entre 60 à 320, celui du 2SD667B entre 60 à 120, celui du 2SD667D entre 160 à 320.

Marquage

Parfois, le préfixe "2S" n'est pas marqué sur l'emballage - le transistor 2SD667C peut n'être marqué que D667C.

Complémentaire du transistor 2SD667C

Le transistor PNP complémentaire du 2SD667C est le 2SB647C.

Substituts et équivalents pour le transistor 2SD667C

Vous pouvez remplacer le transistor 2SD667C par 2SC2383, 2SC2383O, 2SC3228, 2SC3228-O, 2SC3328, 2SD667A, 2SD667AC, KSC2383, KSC2383O, KTC3228 ou KTC3228O.
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