Caractéristiques électriques du transistor 2SD592-R
Type de transistor: NPN
Tension collecteur-émetteur maximum: 25 V
Tension collecteur-base maximum: 30 V
Tension émetteur-base maximum: 5 V
Courant collecteur continu maximum: 1 A
Dissipation de puissance maximum: 0.75 W
Gain de courant (hfe): 120 à 240
Fréquence de transition minimum: 200 MHz
Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
Boîtier: TO-92
Brochage du 2SD592-R
Le 2SD592-R est fabriqué dans un boîtier plastique TO-92. Lorsque l'on regarde le côté plat avec les fils dirigés vers le bas, les trois fils sortant du transistor sont, de gauche à droite, l'émetteur, le collecteur et la base. Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.
Classification de hFE
Le transistor 2SD592-R peut avoir un gain en courant continu de 120 à 240. Le gain en courant continu du 2SD592 est compris entre 85 à 340, celui du 2SD592-Q entre 85 à 170, celui du 2SD592-S entre 170 à 340.
Marquage
Parfois, le préfixe "2S" n'est pas marqué sur l'emballage - le transistor 2SD592-R peut n'être marqué que D592-R.
Complémentaire du transistor 2SD592-R
Le transistor PNP complémentaire du 2SD592-R est le 2SB621-R.