Caractéristiques électriques du transistor 2SD545-G
Type de transistor: NPN
Tension collecteur-émetteur maximum: 25 V
Tension collecteur-base maximum: 25 V
Tension émetteur-base maximum: 5 V
Courant collecteur continu maximum: 1 A
Dissipation de puissance maximum: 0.6 W
Gain de courant (hfe): 280 à 560
Fréquence de transition minimum: 180 MHz
Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
Boîtier: TO-92
Brochage du 2SD545-G
Le 2SD545-G est fabriqué dans un boîtier plastique TO-92. Lorsque l'on regarde le côté plat avec les fils dirigés vers le bas, les trois fils sortant du transistor sont, de gauche à droite, l'émetteur, le collecteur et la base. Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.
Classification de hFE
Le transistor 2SD545-G peut avoir un gain en courant continu de 280 à 560. Le gain en courant continu du 2SD545 est compris entre 60 à 560, celui du 2SD545-D entre 60 à 120, celui du 2SD545-E entre 100 à 200, celui du 2SD545-F entre 160 à 320.
Marquage
Parfois, le préfixe "2S" n'est pas marqué sur l'emballage - le transistor 2SD545-G peut n'être marqué que D545-G.
Complémentaire du transistor 2SD545-G
Le transistor PNP complémentaire du 2SD545-G est le 2SB598-G.
Version SMD du transistor 2SD545-G
Le BC818 (SOT-23), BC818-40 (SOT-23), BC818-40W (SOT-323), BC818W (SOT-323) et BCX20 (SOT-23) est la version SMD du transistor 2SD545-G.
Substituts et équivalents pour le transistor 2SD545-G