Transistor bipolaire 2SD1718-Q

Caractéristiques électriques du transistor 2SD1718-Q

  • Type de transistor: NPN
  • Tension collecteur-émetteur maximum: 180 V
  • Tension collecteur-base maximum: 180 V
  • Tension émetteur-base maximum: 5 V
  • Courant collecteur continu maximum: 15 A
  • Dissipation de puissance maximum: 150 W
  • Gain de courant (hfe): 60 à 120
  • Fréquence de transition minimum: 20 MHz
  • Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
  • Boîtier: TO-3P

Brochage du 2SD1718-Q

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Classification de hFE

Le transistor 2SD1718-Q peut avoir un gain en courant continu de 60 à 120. Le gain en courant continu du 2SD1718 est compris entre 60 à 200, celui du 2SD1718-P entre 100 à 200, celui du 2SD1718-S entre 80 à 160.

Marquage

Parfois, le préfixe "2S" n'est pas marqué sur l'emballage - le transistor 2SD1718-Q peut n'être marqué que D1718-Q.

Complémentaire du transistor 2SD1718-Q

Le transistor PNP complémentaire du 2SD1718-Q est le 2SB1163-Q.

Substituts et équivalents pour le transistor 2SD1718-Q

Vous pouvez remplacer le transistor 2SD1718-Q par 2SC3263, 2SC3281, 2SC3519A, 2SC3519A-O, 2SC3519A-P, 2SC3519A-Y, 2SC5200, 2SC5200N, 2SC5242, 2SC5358, 2SC5949, 2SC6011, 2SC6011A, 2SC6011A-O, 2SC6011A-P, 2SC6011A-Y, 2SC6145, 2SC6145A, 2SD1313, 2SD2155, FJA4313, FJL4315, KTC5200, KTC5200A, KTC5242, KTC5242A, MAG6333, MJW3281A, MJW3281AG ou NTE2328.
Si vous trouvez une erreur, veuillez envoyer un e-mail à mail@el-component.com