Transistor bipolaire 2SD1707-Q

Caractéristiques électriques du transistor 2SD1707-Q

  • Type de transistor: NPN
  • Tension collecteur-émetteur maximum: 80 V
  • Tension collecteur-base maximum: 130 V
  • Tension émetteur-base maximum: 7 V
  • Courant collecteur continu maximum: 20 A
  • Dissipation de puissance maximum: 100 W
  • Gain de courant (hfe): 90 à 180
  • Fréquence de transition minimum: 20 MHz
  • Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
  • Boîtier: TO-3PF

Brochage du 2SD1707-Q

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Classification de hFE

Le transistor 2SD1707-Q peut avoir un gain en courant continu de 90 à 180. Le gain en courant continu du 2SD1707 est compris entre 90 à 260, celui du 2SD1707-P entre 130 à 260.

Marquage

Parfois, le préfixe "2S" n'est pas marqué sur l'emballage - le transistor 2SD1707-Q peut n'être marqué que D1707-Q.

Complémentaire du transistor 2SD1707-Q

Le transistor PNP complémentaire du 2SD1707-Q est le 2SB1156-Q.
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