Transistor bipolaire 2SD1626

• Type de transistor: NPN
• Tension collecteur-émetteur maximum: 50 V
• Tension collecteur-base maximum: 80 V
• Tension émetteur-base maximum: 10 V
• Courant collecteur continu maximum: 1.5 A
• Dissipation de puissance maximum: 0.5 W
• Gain de courant (h_fe): 4000
• Fréquence de transition minimum: 120 MHz
• Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
• Boîtier: SOT-89

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.Le transistor 2SD1626 est marqué "DI".Le transistor PNP complémentaire du 2SD1626 est le 2SB1126.