Caractéristiques électriques du transistor 2SD1610-D
Type de transistor: NPN
Tension collecteur-émetteur maximum: 200 V
Tension collecteur-base maximum: 200 V
Tension émetteur-base maximum: 5 V
Courant collecteur continu maximum: 0.1 A
Dissipation de puissance maximum: 1.25 W
Gain de courant (hfe): 160 à 320
Fréquence de transition minimum: 140 MHz
Température de stockage et de fonctionnement: -50 to +150 °C
Boîtier: TO-126
Brochage du 2SD1610-D
Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.
Classification de hFE
Le transistor 2SD1610-D peut avoir un gain en courant continu de 160 à 320. Le gain en courant continu du 2SD1610 est compris entre 60 à 320, celui du 2SD1610-B entre 60 à 120, celui du 2SD1610-C entre 100 à 200.
Marquage
Parfois, le préfixe "2S" n'est pas marqué sur l'emballage - le transistor 2SD1610-D peut n'être marqué que D1610-D.
Complémentaire du transistor 2SD1610-D
Le transistor PNP complémentaire du 2SD1610-D est le 2SB1110-D.
Version SMD du transistor 2SD1610-D
Le BF622 (SOT-89) et BF822 (SOT-23) est la version SMD du transistor 2SD1610-D.
Substituts et équivalents pour le transistor 2SD1610-D
